Ldmos相关论文
H桥智能功率驱动IC（Integrated Circuit,集成电路）内部集成有提供功率输出的DMOS（Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,双扩散......
在功率半导体器件领域中,LDMOS（Lateral Double-diffused Metal-Oxide-Semiconductor）器件因为栅、源、漏极均在同一平面且为多子导......
随着电子器件的发展,高压大功率MOS器件被广泛应用于相关电路设计中。而众多器件中,以高压横向双扩散金属氧化物半导体管（Lateral D......
随着功率半导体器件发展到深亚微米时代,传统体硅材料已经接近物理极限,SOI（Silicon on Insulator）的出现改善了体硅材料的不足,同时......
栅驱动电路（Gate Driver）主要用于对功率半导体器件的开关控制,目前应用的主流对象是Si材料器件,但随着GaN、SiC等第三代半导体材料......
0.18μm BCD工艺主要用在小尺寸的直流/直流和交流/直流转换等领域,是目前应用于消费电子以及汽车电子等领域主流的BCD工艺之一,具......
功率半导体器件是一类可用于电能处理的半导体器件,具有高灵活性和高效率的特点。随着电能在人类生产生活中的应用越来越广泛,对电......
目前,国内外对于半导体器件电离辐射效应的研究主要集中在低压MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）结构和绝......
基于STI（Shallow Trench Isolation）的LDMOS（Laterally Diffused Metal-OxideSemiconductor Field-Effect Transistor）器件由于耐压高......
1200V横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）可应用于高压电机驱动和高压......
设计一种基于功率合成方式的功率放大器,工作于400～800 MHz频段范围.模块内部采用4个功放管合成的方式,可实现宽频带800 W的功率输......
MOSFET功率器件具有驱动方式简单、易集成、易并联、输入阻抗高以及开关响应快等优点,广泛应用在交通运输、生活娱乐以及军事航空......
作为应用于电力领域的新兴的电力电子技术,功率半导体器件的研究和发展对促进电力电子技术的发展起着至关重要的作用。由于横向功......
2016年8月29日,每年一次循例来为华为RF工程师讲课的Qorvo高级Fellow Bill Boesch在深圳接受了专访,他说:“4G、5G基站大功率射频(......
作为射频领域的研究热点,功率器件LDMOS具有高耐压、好的热稳性、以及便于和普通MOS工艺集成等方面的优点。在器件小型化趋势下,LD......
功率半导体器件是功率集成电路的核心器件,起到了电能转换和电路控制的关键作用,因此它不仅是影响芯片性能制造成本的重要因素,还......
绝缘体上硅(Silicon On Insulator,SOI)具有的高速、高集成度、低功率消耗、抗辐射特性和便于隔离等众多优点,使其普遍应用于高性......
为了缓解LDMOS中比导通电阻与击穿电压之间的矛盾关系,提出了一种具有2层堆叠结构的LDMOS器件。该结构由2个独立的LDMOS器件堆叠形......
随着功率半导体器件工艺技术不断进步,新型器件结构层出不穷。LDMOS(Laterally Double-diffused Metal-Oxide Semiconductor)以其......
给出了漂移区为线性掺杂的高压薄膜SOI器件的设计原理和方法.在Si膜厚度为0.15μm、隐埋氧化层厚度为2μm的SOI硅片上进行了LDMOS......
利用推挽LDMOS，通过采用传输线变压器宽带匹技术，研制出一种米波Ⅲ段宽带功率放大器。文中给出了测试结果放大器的性能指标良好。......
Novel Si/SiC heterojunction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor field-effect transisto
A novel silicon carbide(SiC)on silicon(Si)heterojunction lateral double-diffused metal-oxide semiconductor field-effect ......
由于固态功放在性能、线性、结构、供电,维护等方面具有明显的优势,因此在广播、电视等发射领域中得到了广泛的应用.本文对全固态......
近年来，高性能LDMOS在工业和军事领域得到广泛应用。随着技术指标的不断提高，高性能LDMOS的设计不但要求结构创新，也要求更有效率的设......
智能功率集成电路作为国际最新技术,应用范围极为广泛,在宇航、通信、工业各个领域得到了广泛的应用.它具有具有效率高、性价比高......
基于在众多领域的设计中所遇到的多参数求解问题，以高压LDMOS器件性能的优化设计为对象，重点研究如何实现工艺和器件设计时的多参数......
本文借助二维数值模拟软件MEDICI对700V外延型LDMOS特性进行分析,对其电流饱和机理做了研究,在此基础上采用宏模型的建模方法,给出......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
提出了一种新型D-RESURF埋栅SOI LDMOS(EGDR-SOI LDMOS)结构,其栅电极位于P-body区的下面,可以在扩展的埋栅电极处形成多数载流子......
期刊
对一种具有倾斜表面漂移区SOI LDMOS的制造方法进行了研究,提出采用多窗口LOCOS法形成倾斜表面漂移区的新技术;建立了倾斜表面轮廓......
分析了发生软失效的两种原因:电场诱导和热诱导。针对一种采用0.35μm BCD工艺的LDMOS器件,讨论了改变器件漂移区长度对软泄漏电流......
为了提高内嵌可控硅(SCR)的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)器件应用于高压时的ESD防护性能,基于0.35 μm BCD工艺,在典型LDM......
借助二维数值模拟软件ATHENA和ATLAS,研究分析了一款耐压为700 V的外延型LDMOS管的工作特性.按其工作机制,提出了用一个MOST和两个......
高压LDMOS是高达3.8GHz的国防和航空电子设备RF功率应用的最佳技术选择。该技术将高功率密度、高强度与高于双级设备的增益和效率......
提出一种SOI基背栅体内场降低BG REBULF(back-gate reduced BULk field)耐压技术.其机理是背栅电压诱生界面电荷,调制有源区电场分......
本文通过用双峰的衬底电流效应分析了热电子限制SOA和电子SOA在40V LDMOS栅氧层的形成机理,并且通过新流程设计改进了LD-MOS的SOA.......
近年来随着半导体工艺水平的提高,LDMOS技术迅速发展,性能逐步提升.本文研究了应用于LDMOS的钨塞互连多层金属布线技术,通过对高选......
利用SILVACO TCAD工艺仿真和器件仿真软件研究了110 V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响.研究结果表明,漂移区剂量......
提出了一种适用于高低压电路集成的LDMOS器件结构,采用Double RESURF技术和场板技术,耐压可达700伏.本文借助二维器件模拟软件MEDI......
高压LDMOS是高达3.8GHz的国防和航空电子设备RF功率应用的最佳技术选择。该技术将高功率密度、高强度与高于双级设备的增益和效率......
随着微电子技术的迅猛发展,各种微电子设备获得了空前广泛的应用,电子系统对电磁干扰的敏感程度也随之增加.在电磁脉冲的影响下,电......
设计实现SOI基上带有D/A驱动的高压LDMOS功率开关电路,利用D/A变换的灵活性,运用数字电路与高压模拟电路混合设计方法,实现数字控......
针对高压应用领域,开发了一种基于薄外延技术的高压BCD兼容工艺,实现了900V高压双RESURF LDMOS与低压CMOS,BJT器件的单片集成.与传......
准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能。针对LDMOS提......
介绍了一种利用横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)作为开关器件驱动激光半导体的设计方法。通过对半导体激光器驱动电路原理的分......
